Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-20В; 270мВт

Немає в наявності
Код товару: NTJD4158CT1G
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTJD4158CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 900пКл/2,2нКл
Корпус: SC88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20/±12В
Напруга сток-джерело: 30/-20В
Опір в стані провідності: 1Ом/215мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,27Вт
Струм стока: 250/-880мА
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; THT; TO220; 20Вт; ±10%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; THT; TO220; 20Вт; ±10%; 500В; -55÷155°C

327,55 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±10%
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 84мА; DIP16
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 84мА; DIP16

581,60 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
24В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 275В; THT; ±10%; 15мм

3,13 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Гніздо; Iном: 2,5А; PIN: 1; компресійний; луджений; чорний
Гніздо; Iном: 2,5А; PIN: 1; компресійний; луджений; чорний

58,92 грн

Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
чорний
Максимальний струм:
2,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 348Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 348Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363