Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,25Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXMC4559DN8TA
98,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMC4559DN8TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 3,6/-2,6А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
MOSFET H-Bridge
Корпус:
SO8