1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Немає в наявності
Код товару: SIA533EDJ-T1-GE3
18,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA533EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20/15нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12/-12В
Опір в стані провідності: 215/70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,8Вт
Струм стока: 4,5/-4,5А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Резистор: metal film; 86,6кОм; 250мВт; ±0,1%; -55÷125°C
Резистор: metal film; 86,6кОм; 250мВт; ±0,1%; -55÷125°C

7,16 грн

Допуск:
±0,1%
Опір:
86,6кОм
Потужність:
0,25Вт
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; THT; angled; 2x31
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; THT; angled; 2x31

115,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
18,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; HQ; 250В

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 20мОм; Z: 250Ом; SMD; 100ВDC; 3А; 2020
Фільтр: проти перешкод; Rмакс: 20мОм; Z: 250Ом; SMD; 100ВDC; 3А; 2020

19,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс:
250Ом
Корпус - дюйм:
2020
Корпус - мм:
5050
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 38; THT; 3A; 250V

384,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; THT

95,67 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
18В DC
Макс. струм контактів:
16А
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363