Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 12/-9А

Немає в наявності
Код товару: SI7540ADP-T1-GE3
128,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI7540ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 48/27нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 43/19,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: 12/-9А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 25x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 25x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

23603,04 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; UL 2464; UL CMG
Недоступний
Викрутка: стандартний; Torx®; TX10; Morphos; Довж.леза: 80мм; хром
Викрутка: стандартний; Torx®; TX10; Morphos; Довж.леза: 80мм; хром

518,25 грн

Властивості викруток:
захист від скачування; протиковзке покриття рукоятки; трикомпонентна рукоятка; фосфатована голівка
Довжина леза:
80мм
Загальна довжина:
189мм
Матеріал покриття:
хром
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 10ВDC; D; 2917; SMD

31,80 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9÷45,2В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 40,9÷45,2В; 6,9А; односпрямована; ±5%; SMA; P4SMA

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Корпус:
SMA
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/2,2нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD