Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 34Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ560EP-T1_GE3
33,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ560EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0603; 1,8нГн; 1100мА; R: 0,1Ом; LQG
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0603; 1,8нГн; 1100мА; R: 0,1Ом; LQG

4,58 грн

Високосортність:
12
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,3нГн
Індуктивність:
1,8нГн
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; метал

413,71 грн

Діаметр проводу макс.:
11,4мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 9pin; D-Sub HD 15pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований; з низьким профілем
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 930мВ

38,65 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
3500шт.
Корпус:
DO221AD; slimSMAW
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 470Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 16ВDC; ±20%

18,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
6,3мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6