Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -1,3А; 1,25Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -1,3А; 1,25Вт
Brand: VISHAY
SKU: SI1965DH-T1-E3
Price: 10.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SI1965DH-T1-E3

10,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI1965DH-T1-E3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

4,2нКл

Корпус:

SC70-6; SOT363

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-12В

Опір в стані провідності:

710мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,25Вт

Струм стока:

-1,3А

Струм стоку в імпульсі:

-3А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

P-MOSFET x2

Переглянуті товари

Бажані

Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; RC; 6,35x3,1x0,55мм

3,81 грн

Допуск:
±5%

Корпус - дюйм:
2512

Корпус - мм:
6432

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Запобіжник: плавка; 6,3x32мм; керамічний; вуха під гвинт; 3,15А

114,04 грн

Вид запобіжника:
керамічний

Вид упаковки:
розсипний

Відповідність стандарту:
cURus

Застосування запобіжників:
3-фазні прилади; DC/DC modules; industrial power supplies; інвертори

Недоступний

Бажані

ИК передавач; 940нм; прозора; 1320мВт; 130°; λp макс: 950нм; SMD

55,75 грн

Голівка:
опукла

Довжина хвилі λd:
940нм

Довжина хвилі у точці макс. чутливості:
950нм

Інтенсивність випромінювання:
320...500мВт/ср

Недоступний

Бажані

Двигун: AC; 1-фазний; 25Вт; 230ВAC; 1250обр./хв; 7,5обр./хв; IP54

0,00 грн

Виводи:
гвинтові виводи

Вид двигуна:
1-фазний

Властивості двигунів:
зубчастий редуктор; постійний режим роботи S1; термічний захист

Електричне під'єднування:
різьбові клеми

Бажані

Резистор: thick film; 160Ом; 1206; 250мВт; ±5%; SFR; 3,2x1,6x0,55мм

1,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Недоступний

Бажані

Перетворювач: тиску; 0÷1,6бар; 9÷32ВDC; відносний тиск; 0,3%; IP65

15945,91 грн

Діапазон налаштування тиску:
0...1,6бар

Докладність вимірювання:
0,3%

Клас герметичності:
IP65

Контрольована величина:
відносний тиск

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

1,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT363

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2нКл

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
MicroFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
SOT363