Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 6,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SIA913ADJ-T1-GE3
15,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA913ADJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 0,115Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,5Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
LED потужності; білий; 920мВт; 3000К; 135÷150lm; 120°; 150мА; DURIS
LED потужності; білий; 920мВт; 3000К; 135÷150lm; 120°; 150мА; DURIS

0,97 грн

Голівка:
плоске
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
білий
Колірна температура:
3000К
Недоступний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 5,1мм; ØLED: 3мм,5мм
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 5,1мм; ØLED: 3мм,5мм

6,97 грн

Type of optoelectronics accessories:
дистнацююча втулка
Вид коробки:
T1; T1 3/4
Використання:
LED; діоди LED
Діаметр діода ДУВ:
3мм; 5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; TLR2H; 5x2,5x0,6мм
Резистор: thick film; 7мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; TLR2H; 5x2,5x0,6мм

9,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 171÷189В; 6,2А; односпрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 171÷189В; 6,2А; односпрямована; ±5%; SMC; 1.5SMC

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
154В
Корпус:
SMC
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 12; гніздовий; промислова; WF32; 500В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 12; гніздовий; промислова; WF32; 500В

781,17 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Колона сигналізації; червоний/зеленый; LED; 24ВDC; IP44; ST80L
Колона сигналізації; червоний/зеленый; LED; 24ВDC; IP44; ST80L

2971,37 грн

Джерело світла:
LED
Зовнішні розміри:
Ø80x387мм
Клас герметичності:
IP44
Колір:
червоний/зеленый
Недоступний
Резистор: metal film; 13кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 13кОм; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

1,19 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363