Транзистор: P-MOSFET; 100В; 26А; 150Вт; DPAK,TO252AA

Name: Транзистор: P-MOSFET; 100В; 26А; 150Вт; DPAK,TO252AA
Brand: IXYS
SKU: IXTY26P10T-TRL
Price: 122.91 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXTY26P10T-TRL

122,91 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

IXTY26P10T-TRL

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

DPAK; TO252AA

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

15В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

90мОм

Потужність розсіювання:

150Вт

Струм стока:

26А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:
1,5нКл

Корпус:
X1-DFN1212-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
58нКл

Корпус:
QFN3X3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
10,4нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,8нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14,2нКл

Корпус:
SOT23-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
134нКл

Корпус:
PDFN5060-8