1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK
Немає в наявності
Код товару: RSJ151P10TL
107,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RSJ151P10TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -15А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,6В; SMD; DO213AB,MELF glass; 75мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,6В; SMD; DO213AB,MELF glass; 75мкА

380,13 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
3,6В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Транзистор: NPN x2; біполярний; 65В; 0,1А; 200мВт
Транзистор: NPN x2; біполярний; 65В; 0,1А; 200мВт

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
65В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц

895,84 грн

Вид фільтру:
низькочастотний
Гранична частота:
0,3МГц
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм

8,55 грн

Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8