Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: RSJ151P10TL
107,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RSJ151P10TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 0,22Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -15А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

890,14 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Комбінезон; Розмір: L; сіро-білий; 240г/м2
Комбінезон; Розмір: L; сіро-білий; 240г/м2

1077,67 грн

Вага:
240г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
сіро-білий
Матеріал:
бавовна
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 2; М12 "папа"; прямий; 2м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 2; М12 "папа"; прямий; 2м; вилка; 60ВDC

1481,88 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
2
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET