1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -16А; 39Вт; PowerPAK® 1212-8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -16А; 39Вт; PowerPAK® 1212-8
Немає в наявності
Код товару: SQS405CENW-T1_GE3
17,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS405CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
TCVCXO; 14,85МГц; 10пФ; ±2,5ppm; ±1ppm/рік; 5x3,2x1,2мм; 3В
TCVCXO; 14,85МГц; 10пФ; ±2,5ppm; ±1ppm/рік; 5x3,2x1,2мм; 3В

189,43 грн

Довготривала стабільність:
±1ppm/рік
Ємність:
10пФ
Робоча напруга:
3В
Робоча температура:
-30...75°C
Недоступний
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 147Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

1,65 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
134нКл
Корпус:
PDFN5060-8