Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -2,2А; Idm: -34А; 2,5Вт; SO8

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -2,2А; Idm: -34А; 2,5Вт; SO8
Brand: ONSEMI
SKU: FDS86267P
Price: 44.98 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FDS86267P

44,98 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

FDS86267P

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

11нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

-150В

Опір в стані провідності:

255мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,5Вт

Струм стока:

-2,2А

Струм стоку в імпульсі:

-34А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Опір в стані провідності:
0,105Ом

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Струм стока:
-0,8А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-20В

Опір в стані провідності:
29,8мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-12В

Струм стока:
-4,8А