Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RE1C001ZPTL
Price: 11.40 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: RE1C001ZPTL

11,40 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

RE1C001ZPTL

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SC89

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

3,8Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,15Вт

Струм стока:

-0,1А

Струм стоку в імпульсі:

-400мА

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
326нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

10,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5,9нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SO8