1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,3А; Idm: -15А; 1,4Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,3А; Idm: -15А; 1,4Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMG2305UX-13
2,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Код товару: DMG2305UX-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -3,3А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 4,22Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 6,5А; Idm: 33А; 36Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 6,5А; Idm: 33А; 36Вт; TO252

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 120кОм; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
ИК передавач; 5мм; 940нм; синa,прозора; 20мВт; 30°; THT
ИК передавач; 5мм; 940нм; синa,прозора; 20мВт; 30°; THT

6,97 грн

Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
940нм
Кут світіння:
30°
Лінза діода:
прозора; синa
Недоступний
Резистор: thick film; 30,1кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30,1кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 2м; тросик; Cu; PUR; 22AWG
Patch cord; Cat 5e; проводи,RJ45 вилка; 2м; тросик; Cu; PUR; 22AWG

2411,31 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Контейнер: органайзер; 155x365x365мм; Il.шухл.в модулі: 9
Контейнер: органайзер; 155x365x365мм; Il.шухл.в модулі: 9

684,87 грн

Застосування контейнерів:
для переховування дрібних предметів
Зовнішні розміри:
155x365x365мм
кількість шухлядок в модулі:
9
Тип контейнера:
органайзер
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В