Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2377EDS-T1-GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,6нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 61мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -3,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм

152,05 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина відводів:
0,15м
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM

669,03 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN x2; DBGU; Ethernet; FLEXCOM x11; MCI x2; SSC; USB x3
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C

15,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
27кОм
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18

446,66 грн

Корпус:
TO18
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
50В
Поляризація:
біполярний
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена

15831,24 грн

Версія Bluetooth:
BLE
Властивості модулів зв'язку:
антена
Дальність:
0,1м
Інтерфейс:
RS232; RS485; USB; WIEGAND
Кабель: до датчиків / автоматики; PIN: 3; гніздовий; PUR; IP67
Кабель: до датчиків / автоматики; PIN: 3; гніздовий; PUR; IP67

501,77 грн

Конструкція кабелю/переходу:
гніздовий
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8