1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; Idm: -25А; 1,2Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; Idm: -25А; 1,2Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMP2045UQ-7
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2045UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 6,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -3,5А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight

15,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 422Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; 25ppm/°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 330мкГн; 90мА; R: 13Ом; ±10%

7,54 грн

Високосортність:
20
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,33мГн
Корпус - дюйм:
1812
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

131,15 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
13,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; E2/APC,з обох сторін; 1м; 9/125мкм
Патч-корд світлопроводний; E2/APC,з обох сторін; 1м; 9/125мкм

1862,01 грн

Вид вихідного з'єднання:
E2/APC
Вид волокна:
SMF G657A1
Вид вхідного роз'єму:
E2/APC
Довжина кабелю:
1м
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8