1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDT458P
60,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDT458P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: -3,4А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 10мкФ; 50ВDC; E; 2917
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 10мкФ; 50ВDC; E; 2917

78,56 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; SMT; 1.5A

190,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
7,3мм
Резистор: thick film; 442кОм; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 442кОм; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А