1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -40А; 1,5Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -40А; 1,5Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP2040UVT-7
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2040UVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: TSOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 52мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,5нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

3,38 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
3,5нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SMT; 12,7x8,3x7,25мм; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SMT; 12,7x8,3x7,25мм; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
24В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPB3B
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPB3B

1,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,2пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
134нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
PDFN3030-8