Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,2А; SOT23-6

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,2А; SOT23-6
Brand: PanJit Semiconductor
SKU: PJS6407_S1_00001
Price: 25.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PJS6407_S1_00001

25,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PJS6407_S1_00001

Виробник:

PanJit Semiconductor

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT23-6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Поляризація:

польовий

Струм стока:

-5,2А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

IC: інтерфейс; інтерфейс лінії,контролер лінії; 630Мбіт/с; LVTTL

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
інтерфейс лінії; контролер лінії

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості інтегральних мікросхем:
differential; high speed; low voltage

Інтерфейс:
LVDS

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Опір в стані провідності:
4,7мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TUMT6

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD