Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,5А; Idm: -40А; 1,31Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP2035UFDF-13
Price: 7.60 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,5А; Idm: -40А; 1,31Вт

Немає в наявності

Код товару: DMP2035UFDF-13

7,60 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

DMP2035UFDF-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

20,5нКл

Корпус:

U-DFN2020-6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

0,12Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,31Вт

Струм стока:

-6,5А

Струм стоку в імпульсі:

-40А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 10,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові

15,14 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
2,3мм

Довжина:
6,3мм

Допуск:
±0,1%

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Бажані

Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 940мкФ; 1,1кВDC; ±10%

11126,47 грн

Виводи:
болтове

Вид конденсатора:
DC-Link

Допуск:
±10%

Ємність:
940мкФ

Бажані

Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

13,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±0,1%

Імпульсна макс. напруга:
300В

Корпус - дюйм:
1206

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,5нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
SC74; TSOP6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
151нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
PowerDI®3333-8