Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RQ5C060BCTCL
10,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: RQ5C060BCTCL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19,2нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 51мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -6А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Дисплей: LCD; графічний; 240x64; STN Negative; синій; 180x65мм; LED
Дисплей: LCD; графічний; 240x64; STN Negative; синій; 180x65мм; LED

4470,36 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
T6963C
Властивості дисплеїв:
вбудований перетворювач негативної напруги
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 4sps; 2,7÷5,5В; MSOP10; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 4sps; 2,7÷5,5В; MSOP10; туба

193,23 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
2
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 14бит; Ch: 1; VSSOP10; -40÷125°C; 2,7÷5,5ВDC
IC: перетворювач D/A; 14бит; Ch: 1; VSSOP10; -40÷125°C; 2,7÷5,5ВDC

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Інтерфейс:
I2C; SPI
Кількість каналів:
1
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
33пФ
Недоступний
Лабораторний блок живлення: програмований; одноканальний; 0÷6А
Лабораторний блок живлення: програмований; одноканальний; 0÷6А

240091,53 грн

Cенсорна панель:
так
Вид блоку живлення:
одноканальний
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 5"; кольоровий
Вихідна напруга:
0...20В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 510пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 510пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD