1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,1А; Idm: -4,4А; 1,25Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,1А; Idm: -4,4А; 1,25Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA3433_R1_00001
15,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,97Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -1,1А
Струм стоку в імпульсі: -4,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 536кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 536кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,octal,тригер D; Ch: 8; TTL; ACT; SMD
IC: цифровий; 3-позиційний,octal,тригер D; Ch: 8; TTL; ACT; SMD

41,81 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; octal; тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
8
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-912; CuBe; 5N; plug-in; L: 32mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-912; CuBe; 5N; plug-in; L: 32mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,5мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 39В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 39В; DO35; 500нА; Ufmax: 1,1В

313,61 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
39В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 2,7В; SMD; DO213AA; 75мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 2,7В; SMD; DO213AA; 75мкА; ролик,cтрічка

326,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
2,7В
Корпус:
DO213AA
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

2,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 10А; 250В; Han® DDD
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 10А; 250В; Han® DDD

997,21 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
Han 55DDD M-c
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD