Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2303CDS-T1-GE3
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -2,7А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; THT; 1,1Ом; 600мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; THT; 1,1Ом; 600мВт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,2мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; DPDT; 3А; 2A/125ВAC; 30.22
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; DPDT; 3А; 2A/125ВAC; 30.22

223,64 грн

Зовнішні розміри:
20,3x10,1x11,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
3А
Матеріал контакту:
AgNi/Au 5мкм
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; 100ppm/°C

0,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 10ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 10ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%

2,24 грн

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 820Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 820Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 180Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 180Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3А; 1Вт; TSMT3

10,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В