Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -13А; 1,3Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMP3165L-13
3,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP3165L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 2нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,134Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -2,7А
Струм стоку в імпульсі: -13А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

2,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 36,7÷40,6В; 11,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 600Вт; 36,7÷40,6В; 11,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

27,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
33В
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; -55÷125°C

11,15 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Корпус:
A
Резистор: дротяний; 4,7Ом; 80Вт; ±5%; Ø31x115мм; 400ppm/°C; L: 115мм
Резистор: дротяний; 4,7Ом; 80Вт; ±5%; Ø31x115мм; 400ppm/°C; L: 115мм

599,98 грн

Виводи:
кільцеві
Діаметр:
31мм
Довжина:
115мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 12,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 12,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; Idm: -400А; 73,5Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
134нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -55А; Idm: -220А; 65,7Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -25А; Idm: -100А; 30Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
PDFN3030-8