Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -25А; 1,2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM03P41M
21,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM03P41M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 52мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -4,1А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

430,82 грн

Alias:
SLD 3.50 V/22/180F 3.2 SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
27,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

1,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,1пФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 300В; 10А; 13нс; DPAK; Ufmax: 0,9В; Ifsm: 100А
Діод: випрямний; SMD; 300В; 10А; 13нс; DPAK; Ufmax: 0,9В; Ifsm: 100А

8,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
DPAK
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 2м; IP67

1819,57 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
33мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 4,12Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,76 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
4,12Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 12,4Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,4Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
12,4Ом
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.4mm; T-075; CuBe; 0.6N; screw-in
Test probe: ICT/FCT; 3A; Ø: 0.4mm; T-075; CuBe; 0.6N; screw-in

492,90 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,4мм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А