1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -41А; Idm: -138А; 13,5Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -41А; Idm: -138А; 13,5Вт
Немає в наявності
Код товару: PJQ4435EP_R2_00201
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4435EP_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 12,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,5Вт
Струм стока: -41А
Струм стоку в імпульсі: -138А
Тип транзистора: P-MOSFET
Діод: TVS; 0,6кВт; 58,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 58,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

5,58 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 0,5пФ; 50В; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 0,5пФ; 50В; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,66 грн

Ємність:
0,5пФ
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 118Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 118Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJS03F
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJS03F

1,50 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2нФ
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; промислова; 63В; прямий; IP65; push-lock
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; промислова; 63В; прямий; IP65; push-lock

2194,00 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
push-lock
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 3кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
231нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23