Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIA441DJ-T1-GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA441DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
IC: перетворювач D/A; 8бит; 48кsps; Ch: 4; SOIC14; 0÷70°C; ±0,9LSB
IC: перетворювач D/A; 8бит; 48кsps; Ch: 4; SOIC14; 0÷70°C; ±0,9LSB

179,30 грн

Max DNL:
±0,9LSB
Відносна погрішність:
1LSB
Інтерфейс:
SPI
Кількість каналів:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

18,88 грн

Alias:
KGM31VCG2A272FU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Мірник: амперметр; цифровий,типа пінцет AC; LCD 2,5"; ±3%; IP31
Мірник: амперметр; цифровий,типа пінцет AC; LCD 2,5"; ±3%; IP31

15153,34 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AA 1,5В x2
Вид вжитого дисплея:
LCD 2,5"
Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 15÷38мм; IP50; Дл: 2м; -40÷70°C
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 15÷38мм; IP50; Дл: 2м; -40÷70°C

30242,69 грн

Властивості датчиків:
радіус вигину R25
Дальність:
15...38мм
Довжина проводу:
2м
Клас герметичності:
IP50
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -13,4А; Idm: -40А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -5,7А; Idm: -20А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -8А; Idm: -20А

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -16А; Idm: -64А; 6,5Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN2020-6