Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -440мА; Idm: -2,4А; 400мВт

Немає в наявності
Код товару: DMP31D7LDW-13
3,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP31D7LDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 1,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: -440мА
Струм стоку в імпульсі: -2,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 9,3нГн; 540мА; R: 0,14Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 9,3нГн; 540мА; R: 0,14Ом; ±2%; LQW

3,33 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
9,3нГн
Корпус - дюйм:
0402
Screwdriver bit: slot; 12x2mm; 5/16"; Overall len: 41mm; 3pcs.
Screwdriver bit: slot; 12x2mm; 5/16"; Overall len: 41mm; 3pcs.

767,23 грн

Type of screwdriver bit:
плоскa
Вид рукоятки:
C8
Відповідність стандарту:
ISO 2351
Загальна довжина:
41мм
Діод: TVS; 1,5кВт; 400В; 2,8А; односпрямована; ±5%; DO201; 1.5KE
Діод: TVS; 1,5кВт; 400В; 2,8А; односпрямована; ±5%; DO201; 1.5KE

68,42 грн

Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
548В
Корпус:
DO201
Монтаж:
THT
Гвинт; D-Sub; AMPLIMITE
Гвинт; D-Sub; AMPLIMITE

36,62 грн

Використання:
D-Sub
Застосування - серія/виробник:
AMPLIMITE
Тип аксесуарів для роз’ємів:
гвинт
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 33кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 33кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,81мм
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD