1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,9А; 2Вт; SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,9А; 2Вт; SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXMP3A16GTA
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMP3A16GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -5,9А
Тип транзистора: P-MOSFET
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна,з вентилятором; 1500
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна,з вентилятором; 1500

5691,85 грн

Виводи:
виводи 1,5мм2
Захист:
перегрівання OTP
Зовнішні розміри:
108x90x165мм
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USB OTG
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USB OTG

283,83 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; LCD controller; XLP
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 120В; 6А; TO247AD
Транзистор: NPN; біполярний; 120В; 6А; TO247AD

207,81 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
120В
Недоступний
Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 12А; 310Вт; TO247HV
Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 12А; 310Вт; TO247HV

1154,97 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247HV
50МГц; SMD; 3,2x2,5x1,2мм; 15пФ; ±10ppm; -40÷85°C
50МГц; SMD; 3,2x2,5x1,2мм; 15пФ; ±10ppm; -40÷85°C

124,18 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри корпусу:
3,2x2,5x1,2мм
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 1,5мкФ; 600ВDC; ±5%; THT
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 1,5мкФ; 600ВDC; ±5%; THT

7118,61 грн

Виводи:
осьові
Висота:
70мм
Діаметр:
66мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 36,7В; 11,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 36,7В; 11,3А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

66,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
33В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD