1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 1,5Вт; PowerDI®5060-8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 1,5Вт; PowerDI®5060-8
Немає в наявності
Код товару: DMPH3010LPS-13
26,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Код товару: DMPH3010LPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: PowerDI®5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 10мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -50А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 40x40x28мм; осьовий; 12ВDC; 26,94м3/г; 47,5дБА
Вентилятор: DC; 40x40x28мм; осьовий; 12ВDC; 26,94м3/г; 47,5дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; Iвих: 2,09А; DIP6; THT; ККД: 90%; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; Iвих: 2,09А; DIP6; THT; ККД: 90%; OUT: 1

3175,37 грн

Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
2,09А
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 29,4кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 180кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 180кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 450мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 450мВт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -70А; 29,7Вт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
34нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,2нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23