Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -530мА; Idm: -2,5А; 710мВт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -530мА; Idm: -2,5А; 710мВт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP31D0U-7
Price: 25.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMP31D0U-7

25,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMP31D0U-7

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:

1,5нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

2Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,71Вт

Струм стока:

-530мА

Струм стоку в імпульсі:

-2,5А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 3A; 250V

404,21 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Опір в стані провідності:
0,105Ом

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Струм стока:
-0,8А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-20В

Опір в стані провідності:
29,8мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-12В

Струм стока:
-4,8А