Транзистор: P-MOSFET; польовий; -350В; -231мА; Idm: -1,1А; 1,6Вт

Немає в наявності
Код товару: TP2435N8-G
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: TP2435N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -350В
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: -231мА
Струм стоку в імпульсі: -1,1А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 46,4Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; PIN: 3; гніздовий; промислова; E; 60В; прямий; IP67

693,11 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
IDC
Зовнішній діаметр проводу:
4...5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 16В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 4А; Полюси: 1

181,20 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 1,87кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 150нс; SMA; Ufmax: 1,3В

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
PowerDI®5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; TO263

323,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11А; 1,08Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11А; 1,08Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
12нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD