Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -60А; 68Вт; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJ409EP-T2_GE3
36,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ409EP-T2_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: -60А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 30В; 0,5А; 250мВт
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 30В; 0,5А; 250мВт

4,56 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

46,88 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,72 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
300кОм
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 111А; 319Вт; Eвикл: 1,15мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 111А; 319Вт; Eвикл: 1,15мДж

232,51 грн

Енергія виключення:
1,15мДж
Енергія включення:
2,08мДж
Заряд затвора:
123нКл
Монтаж:
THT
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12

42,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG

43,72 грн

Висота:
9мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD