Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -70А; Idm: -300А; 46Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI070P04PQ
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI070P04PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 46Вт
Струм стока: -70А
Струм стоку в імпульсі: -300А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; 1/4"
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; 1/4"

2269,39 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Розмір гнізда тримача - мм:
9x12мм
Розмір ключа - дюйм:
1/4"
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0612; 1,5Вт; ±5%; 100ppm/°C

6,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
LED; зелений; SMD; 1206; 18мкд; 2,2÷2,5ВDC; 3,2x1,6мм; 70°; 20мА
LED; зелений; SMD; 1206; 18мкд; 2,2÷2,5ВDC; 3,2x1,6мм; 70°; 20мА

8,87 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
568нм
Колір діода LED:
зелений
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; для інверторів; L: 22,9мм
Радіатор: штампований; ребристий; для інверторів; L: 22,9мм

187,53 грн

Використання:
для інверторів
Висота:
22,9мм
Довжина:
22,9мм
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 12А

73,49 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
12мм
Відповідність стандарту:
UL
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А