Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -90А; 136Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: SQD90P04-9M4L_GE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQD90P04-9M4L_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: -90А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Етикетка; поліестер,ПВХ; білий; самоклеючі; 4мм; 150°C
Етикетка; поліестер,ПВХ; білий; самоклеючі; 4мм; 150°C

235,05 грн

Alias:
KSW 4 16/5,08 1-16
Висота:
4мм
Колір:
білий
Матеріал:
ПВХ; поліестер
Недоступний
LED; червоний/зелений; SMD; 0603; 1,6x0,8x0,35мм
LED; червоний/зелений; SMD; 0603; 1,6x0,8x0,35мм

6,08 грн

Колір діода LED:
червоний/зелений
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,2пФ
Діод: TVS; 31,1÷35,8В; двоспрямована; P600; 5кВт; 5KP; Ammo Pack
Діод: TVS; 31,1÷35,8В; двоспрямована; P600; 5кВт; 5KP; Ammo Pack

50,68 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
28В
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F

6,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Дисплей: LED; 7-сегментний; 13,2мм; 0,52"; Кільк.зн: 4; 20мкд; катод
Дисплей: LED; 7-сегментний; 13,2мм; 0,52"; Кільк.зн: 4; 20мкд; катод

44,35 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
13,2мм, 0,52"
Довжина хвилі λd:
567...576нм
К-ть знаків:
4
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,2Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 8,5мм
Резистор: вуглецевий; 2,2Ом; THT; 500мВт; ±5%; осьові; L: 8,5мм

1,50 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
8,5мм
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А