Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,2А; Idm: -6А; 1,17Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMP6350SQ-13
9,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP6350SQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 4,1нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,17Вт
Струм стока: -1,2А
Струм стоку в імпульсі: -6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; Жили: 5

1142,30 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

1,24 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,99 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 500Вт; 13,3В; 25,1А; двоспрямована; DO214AC,SMA

16,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
12В
Недоступний
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 681Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3А; 1Вт; TSMT3

10,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В