Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -100А; 50Вт; ATPAK

Немає в наявності
Код товару: ATP113-TL-H
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: ATP113-TL-H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: ATPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 29,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Тип транзистора: P-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A

694,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

7,60 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40...44,2В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201

15,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,6мм
Опір:
165Ом
Резистор: thin film; 20кОм; 0603; PCF; -55÷125°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 20кОм; 0603; PCF; -55÷125°C; 25ppm/°C

4,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
20кОм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8