Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

Немає в наявності
Код товару: IRFR9024TRPBF
16,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IRFR9024TRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: -5,6А
Струм стоку в імпульсі: -35А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований
Ключ; гачковий; хром-ванадієва сталь; 242мм; фосфатований

1118,22 грн

Вид ключа:
гачковий
Відповідність стандарту:
DIN 1810
Довжина:
242мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок

2742,02 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
інтелігентний будинок
Дальність:
30м
Застосування - серія/виробник:
E-Design55
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4

16,03 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Властивості інтегральних мікросхем:
Manual Reset
Недоступний
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8

31,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм

0,00 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Зовнішні розміри:
6,4x3,2x0,6мм
Опір:
13мОм
Потужність:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N

885,71 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В