Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -150В; -35А; 198Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: G900P15M
71,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G900P15M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 198Вт
Струм стока: -35А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 22,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 22,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; CHA; ±0,5%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Кабель; D-Sub 25pin вилка,D-Sub 9pin гніздо; Дл: 5м; бежевий
Кабель; D-Sub 25pin вилка,D-Sub 9pin гніздо; Дл: 5м; бежевий

686,77 грн

Відповідність стандарту:
VW-1
Діаметр жили:
28AWG
Довжина кабелю:
5м
Зовнішній діаметр проводу:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,0033мкФ; 1,25кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,0033мкФ; 1,25кВDC; THT; ±5%

12,16 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
3,3нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
12,5мм
Каркас: з виводами; горизонтальний; дюропласт; К-ть вив: 12
Каркас: з виводами; горизонтальний; дюропласт; К-ть вив: 12

85,53 грн

Кількість виводів:
12
Матеріал:
дюропласт
Модель:
горизонтальний
Супутні товари:
RM14
Недоступний
Датчик: тиску; 0÷100psi; абсолютний; OUT: аналоговий; THT; DIP; 5В
Датчик: тиску; 0÷100psi; абсолютний; OUT: аналоговий; THT; DIP; 5В

1974,15 грн

Діапазон вимірювання тиску:
0...100psi
Конфігурація виходу:
аналоговий
Корпус:
DIP
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8