Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,8А; 0,89Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: 2301H
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2301H
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 4,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,89Вт
Струм стока: -2,8А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,82 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: цифровий; AND; IN: 8; THT; DIP14; -40÷85°C; 1мкА; 6нс; HC
IC: цифровий; AND; IN: 8; THT; DIP14; -40÷85°C; 1мкА; 6нс; HC

56,64 грн

Вид затвору:
AND
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-40...85°C
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

1154,97 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT

1,42 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Монтаж:
THT
Погрішність ємкості:
±0,25пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
4мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6,4нГн; 700мА; R: 0,09Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6,4нГн; 700мА; R: 0,09Ом; LQW; 180мм

3,15 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
6,4нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V

731,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А