1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,4А; 1,3Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,4А; 1,3Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: G3401L
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3401L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 9,3нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -4,4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В

5,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; HV; 400В
Резистор: thick film; 820кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; HV; 400В

0,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 5,76кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,76кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
5,76кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 523Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 523Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 77,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 77,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

309,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А