1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -26А; 50Вт; DFN5x6-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -26А; 50Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: G26P04D5
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G26P04D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -26А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2,5кВDC; 900ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2,5кВDC; 900ВAC

22,11 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,87 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603

0,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8

3472,51 грн

Дальність:
0...1,5мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Iвих: 20А; DIP8; THT; ККД: 92%; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Iвих: 20А; DIP8; THT; ККД: 92%; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
20А
Відповідність стандарту:
CE
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -70А

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
231нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,9А; Idm: -8А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23