1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -8,9А; Idm: -56А; 15Вт

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -8,9А; Idm: -56А; 15Вт
Немає в наявності
Код товару: BUK6D43-40PX
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK6D43-40PX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 81мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: -8,9А
Струм стоку в імпульсі: -56А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; ККД: 85%; OUT: 1; 3,3В
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; ККД: 85%; OUT: 1; 3,3В

3201,98 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Кількість виходів:
1
ККД:
85%
Потужність:
15Вт
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; 0402; 63мВт; ±5%; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,1А; Idm: -20А

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5,4А; 0,81Вт

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®3333-8