1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -48А; 105Вт; TO263

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -48А; 105Вт; TO263
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G230P06M
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G230P06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 105Вт
Струм стока: -48А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 115Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 115Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вентилятор: AC; 970x970x308мм; осьовий; 400ВAC; 17030м3/г; IP55
Вентилятор: AC; 970x970x308мм; осьовий; 400ВAC; 17030м3/г; IP55

0,00 грн

Виводи:
конектори
Вид вентилятора:
осьовий
Вид двигуна:
3-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 549Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; ADC,ICSP,PWM; SMD; DFN8
IC: мікроконтролер PIC; 1,75кБ; 20МГц; ADC,ICSP,PWM; SMD; DFN8

58,29 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ADC; ICSP; PWM
Кількість входів/виходів:
5
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 2А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD128F; SMD; 100В; 2А; ролик,cтрічка

29,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5мм; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

310,44 грн

Виводи:
конектори
Властивості датчиків:
Т подібний, 7мм
Дальність:
5мм
Клас герметичності:
IP50
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD