Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -120А; 375Вт

Немає в наявності
Код товару: SUM70101EL-GE3
170,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM70101EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,19мкКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: -120А
Струм стоку в імпульсі: -240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; I2C; 100кОм; 8бит; MSOP10; SMD; Ch: 1
IC: цифровий потенціометр; I2C; 100кОм; 8бит; MSOP10; SMD; Ch: 1

148,25 грн

Max DNL:
±0,4LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергозал.
Інтерфейс:
I2C
Недоступний
Осердя: феритовий; E; 145нГн; 72,1см3; 3,89см2; A: 80мм; Б: 38,1мм
Осердя: феритовий; E; 145нГн; 72,1см3; 3,89см2; A: 80мм; Б: 38,1мм

267,36 грн

Вимір D:
28,1мм
Ефективний об'єм осердя (Ve):
72,1см3
Ефективний переріз осердя (Ae):
3,89см2
Кількість в наборі/упаковці:
1шт.
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; BX; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; BX; ±10%; SMD; 1808

77,93 грн

Діелектрик:
BX
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Корпус - дюйм:
1808
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 9,1нГн; 400мА; R: 0,16Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 9,1нГн; 400мА; R: 0,16Ом; LQW; 180мм

4,24 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

47,52 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; PIN: 16; copper; 1mm; ZIF; 30mΩ
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; PIN: 16; copper; 1mm; ZIF; 30mΩ

24,46 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
16
Матеріал контакту:
мідь
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -1,2А; 150мВт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD