1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -120А; 375Вт

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -120А; 375Вт
Немає в наявності
Код товару: SUM70101EL-GE3
170,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM70101EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,19мкКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: -120А
Струм стоку в імпульсі: -240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT5X3; 2÷5,5ВDC; -40÷125°C; AHC
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT5X3; 2÷5,5ВDC; -40÷125°C; AHC

17,74 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Недоступний
Пристискний контакт; AAA,AAAA,N; К-сть бат: 2; втискуваний
Пристискний контакт; AAA,AAAA,N; К-сть бат: 2; втискуваний

18,12 грн

Кількість батарей:
2
Монтаж:
втискуваний
Розмір осередку:
AAA; AAAA; N
Тип аксесуарів батарей:
пристискний контакт
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

779,90 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний таблетковий; 2,4кВ; 6,52кА; Ø101,5/Ø63мм
Діод: випрямний таблетковий; 2,4кВ; 6,52кА; Ø101,5/Ø63мм

28037,92 грн

Зворотна напруга макс.:
2,4кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,87В
Розміри корпусу:
Ø101,5/Ø63мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%; ERA1AEB
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%; ERA1AEB

3,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD