Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -40А

Немає в наявності
Код товару: SIA413ADJ-T1-GE3
27,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA413ADJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex

57,34 грн

Connector family:
data
Виводи:
прямі
Довжина:
76,2мм
Кількість ліній:
2
Недоступний
LED; УФ-А; Корп.(мм): 3535; 30°; 500мА; λd: 365÷370нм; SMD
LED; УФ-А; Корп.(мм): 3535; 30°; 500мА; λd: 365÷370нм; SMD

240,75 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
365...370нм
Колір діода LED:
УФ-А
Корпус - мм:
3535
Connector: wire-board; plug; data; Inom: 9A; shrouded; 4.2mm; tinned
Connector: wire-board; plug; data; Inom: 9A; shrouded; 4.2mm; tinned

36,18 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
натуральний
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23

14,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; 800мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3А; 800мВт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62,1нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23