Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,17А; 12,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SI7117DN-T1-E3
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7117DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12,5Вт
Струм стока: -2,17А
Струм стоку в імпульсі: -2,2А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 32нГн; 2200мА; R: 0,03Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 32нГн; 2200мА; R: 0,03Ом; ±5%; LQW

9,02 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
32нГн
Корпус - дюйм:
0603
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,2А; 4нс; SOD323; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 0,2А; 4нс; SOD323; Ufmax: 1,25В

5,70 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 50В; X8L; ±20%; SMD; 0603

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Провід: стрічковий; TLWY; 8x0,124мм2; тросик; Cu; неекранований
Провід: стрічковий; TLWY; 8x0,124мм2; тросик; Cu; неекранований

117,84 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
TLWY
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

1,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±5%; SP; 300В
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±5%; SP; 300В

16,60 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,9нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO252