Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,4А; Idm: -1А

Немає в наявності
Код товару: SI1013X-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI1013X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,5нКл
Корпус: SC89; SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,275Вт
Струм стока: -0,4А
Струм стоку в імпульсі: -1А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4

27,24 грн

CTR@If:
80-160%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C

69,06 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
Silent mode
Інтерфейс:
CAN
Кількість каналів:
1
Корпус:
HVSON8
Недоступний
Резистор: thick film; 2,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
26МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x1,6мм; -40÷125°C
26МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x1,6мм; -40÷125°C

58,92 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...125°C
Розміри:
2x1,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

293,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 4; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 4; 6кА

3433,86 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,65нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8