1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM05P01G
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM05P01G
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,65нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -50В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм стока: -0,13А
Струм стоку в імпульсі: -0,52А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 44,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 100В; 1А; ролик,cтрічка

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 0,6кВт; 16,7÷18,5В; 24,6А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 16,7÷18,5В; 24,6А; односпрямована; SMB; SMBJ

12,04 грн

Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16,7...18,5В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 0402

2,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 50Ом; паяння

327,55 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал ізоляції:
PTFE
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт

565,13 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
239A
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2,4А
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SO8