Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А

Немає в наявності
Код товару: SIA445EDJ-T1-GE3
17,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA445EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,регульований; 1,2÷37В; 1,5А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,регульований; 1,2÷37В; 1,5А

113,41 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; регульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,2...37В
Вихідний струм:
1,5А
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 2÷6ВDC; -40÷85°C; HC
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 2÷6ВDC; -40÷85°C; HC

39,91 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
triple; 3
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFP48; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFP48; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI x2; USART; USB
Кількість входів/виходів:
35
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F

3,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 9G1,5мм2; неекранований; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 9G1,5мм2; неекранований; 300В,500В

394,07 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 1,84кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,84кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 16; кутовий; на панель,на PCB; THT
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 16; кутовий; на панель,на PCB; THT

529,02 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В