1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А
Немає в наявності
Код товару: SIA445EDJT-T1-GE3
12,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA445EDJT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 69нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V

32,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 620кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 14А; Iмакс: 100А; PTR016V; ролик
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 14А; Iмакс: 100А; PTR016V; ролик

44,98 грн

Вид упаковки:
ролик
Застосування запобіжників:
електронні додатки; захист побутової техніки; материнські плати ПК
Максимальна напруга:
16В
Максимальний струм:
100А
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 27,9А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 14,4В; 27,9А; двоспрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

59,55 грн

Зворотна напруга макс.:
13В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 1210; 18ВAC; 26ВDC; 300А; 60В; 3Дж
Варистор: багатошарові; SMD; 1210; 18ВAC; 26ВDC; 300А; 60В; 3Дж

25,72 грн

Енергія E10/1000мкс:
3Дж
Корпус - дюйм:
1210
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
60В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,2нФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 768Б; 4МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; DFN8; PIC10
IC: мікроконтролер PIC; 768Б; 4МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; DFN8; PIC10

62,09 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Генератор вбудований:
4МГц
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD